19.05.2005, 15:17 Uhr
DRAM-Chips machen Tempo
Weniger Wärmeentwicklung und einen um 20 Prozent erhöhten Datendurchsatz verspricht In? neon mit ihrem jüngsten Speicher-Chip. VON VOLKER RICHERT
Die Halbleiterbranche stöhnt nach wie vor unter schwachen Umsätzen und schlechten letztjährigen Jahresabschlüssen. Dennoch erwarten Samsung und Micron bei den DRAM-Modulen bald schon einen Aufschwung. Infineon sieht den zwar in diesem Jahr noch nicht, verspricht aber trotzdem frische Bausteine.
Im Juni sollen bereits beschleunigte und leicht kühlbare DIMM (Dual Inline Memory Modules) als DDR2-800-Chips in Serie gefertigt werden. Asus habe die Module bereits für ihre Hochleistungsrechner geordert, liess Infi neon verlauten. Und nachdem kürzlich Samsung einen Prototypen mit acht GByte Kapazität vorgestellt hat, verteilen die Münchner nun ihrerseits Chip-Muster mit acht GByte Kapazität (DDR2-400-DIMM), die auf ihrer Dual-Die-Miniaturisierungstechnik basiert.
Bei den demnächst in Serie gefertigten DDR2-800 setzt Infineon auf Verkleinerung mittels
DRAM-Trench-Technik. Die soll nach Herstellerangaben die Spannungsaufnahme gegenüber der Modul-Stapeltechnik Stack verringern und so auch weniger Wärme erzeugen. Angeboten werden diese Speicherbausteine mit 256 und 512 MByte Kapazität. Letztere haben laut Infineon in Tests den Datendurchsatz um 20 Prozent gegenüber verfügbaren Chips erhöht. Angesprochen werden insbesondere User, die hohe Leistung wollen, ohne ihre Systeme zu übertakten.
www.infineon.ch
DRAM-Trench-Technik. Die soll nach Herstellerangaben die Spannungsaufnahme gegenüber der Modul-Stapeltechnik Stack verringern und so auch weniger Wärme erzeugen. Angeboten werden diese Speicherbausteine mit 256 und 512 MByte Kapazität. Letztere haben laut Infineon in Tests den Datendurchsatz um 20 Prozent gegenüber verfügbaren Chips erhöht. Angesprochen werden insbesondere User, die hohe Leistung wollen, ohne ihre Systeme zu übertakten.
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